硅禁带宽度

来源：娥贺情感

1.1至1.3eV。原子结构和晶体缺陷是主要影响因素之一，硅的晶体结构是面心立方结构，其原子排列有序，这导致禁带宽度相对较大，然而晶体缺陷会导致禁带宽度的变小，此外温度的升高也会使禁带宽度减小，这些因素共同作用，决定了硅的禁带宽度约为1.1至1.3eV。

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